双腔ALD原子沉积系统

原子层沉积技术

原子层沉积技术（ALD）是一种一层一层原子级生长的薄膜制备技术。理想的 ALD 生长过程，通过选择性交替，把不同的前驱体暴露于基片的表面，在表面化学吸附并反应形成沉积薄膜。

一个完整的 ALD 生长循环可以分为四个步骤：

1、脉冲第一种前驱体暴露于基片表面，同时在基片表面对第一种前驱体进行化学吸附

2、惰性载气吹走剩余的没有反应的前驱体

3、脉冲第二种前驱体在表面进行化学反应，得到需要的薄膜材料

4、惰性载气吹走剩余的前驱体与反应副产物

双腔ALD原子沉积系统控制系统难点：

• 多点温度控制
• 多种通讯总线连接不同的从站
• 数据追踪分析
• 软件标准化管理
• 对控制器的性能、功能及尺寸均有较高的要求

控制系统架构：

中科时代方案特点：

1、算控一体

• 一台工智机替代客户原工控机+进口PLC，减小控制柜体积同时节约成本50%以上。
• PC架构控制器性能强大，配合EtherCAT总线，能有效提升控制性能。

2、易用开放

• 通讯协议：本系统集成了多样化的工业通讯协议，涵盖DeviceNet、EtherCAT、EtherNet/IP、Modbus RTU、Modbus TCP、OPC UA及中科时代ACP™通信协议，方便扩展系统结构以及对接上位系统。
• 网络架构：支持EtherCAT环网冗余，提高EtherCAT网络的通信稳定，提升设备稳定性。
• 数据分析：提供数据录波DataScope示波器软件，用于以图形的方式显示和分析自动化系统中的变量。极大的方便客户各种应用需求分析。
• IO版本管理：针对各种不同的IO品牌，以及各种不同的从站，可提供IO 版本管理功能，让客户方便的实现同一套程序管理多种机型。